雖然深紫外LED燈珠在太陽光中能量占比僅5%，但在人類生活中應用廣泛。目前，紫外光廣泛應用于水凈化、光固化和殺菌消毒等領域。傳統的紫外光源一般是采用汞蒸氣放電的激發態來產生紫外線，有著發熱量大、功耗高、反應慢、壽命短和安全隱患等諸多缺陷。而新型的深紫外光源則采用發光二極管（LED）發光原理，相對于傳統的汞燈擁有諸多的優點。其中，重要的優勢在于其不含有毒汞元素。預示2020年將全方面禁止含有汞元素紫外燈的使用。因此，開發出一種全新的環保、高能紫外光源，成為了擺在人們面前的一項重要挑戰。
由此，基于寬禁帶半導體材料（氮化鎵、氮化鎵鋁）的深紫外發光二極管（UV LED）成為這一新應用的不二選擇。這一全固態光源體系效率高、體積小、壽命長，而且不過是拇指蓋大小的芯片，就能發出比汞燈還要強的紫外光。這里面的奧秘主要取決于III族氮化物這種直接帶隙半導體材料：導帶上的電子與價帶上的空穴復合時，產生光子。光子的能量則取決于材料的禁帶寬度，所以科學家們可以通過調節氮化鎵鋁（AlGaN）這種三元化合物中的元素組分來實現不同波長的發光。但是，要想實現UV LED的發光并不總是那么簡單的事情。科學家們發現當電子和空穴復合時，并不總是一定產生光子，這一效率被稱之為內量子效率(IQE)。
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