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深紫外LED燈珠發光原理與發展前景介紹

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深紫外LED燈珠發光原理與發展前景介紹

發布日期:2018-05-23 00:00:00 作者:鑫優威 點擊:0


在這么多品種的燈珠中,由于深紫外的光通量值是較小的,所以深紫外LED燈珠是比較貴的一種LED,深紫外不只能夠驗證人民幣的真假,還能夠起到滅菌消毒的成效,下面就讓藍晉光電帶我們了解一下吧。


  深紫外LED燈珠發光原理與翻開遠景介紹


 深紫外LED燈珠發光原理


 深紫外發光二極管是指能宣告近深紫外光的一種發光二極管(led)。它的發光原理同一般發光二極管相同。


 50年前人們現已了解半導體資料可發生光線的根柢常識,第一個商用二極管發生于1960年。led是英文light emitting diode(發光二極管)的縮寫。


 它的根柢結構是一塊電致發光的半導體資料,置于一個有引線的架子上,然后四周用環氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以led的抗震功用好。發光二極管的中心部分是由p型半導體和n型半導體組成的晶片,在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層,稱為pn結。在某些半導體資料的pn結中,注入的少數載流子與大都載流子復合時會把剩下的能量以光的方法釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。pn結加反向電壓,少數載流子難以注入,故不發光。這種運用注入式電致發光原理制造的二極管叫發光二極管,通稱led。當它處于正向作業情況時(即兩頭加上正向電壓),電流從led陽極流向陰極時,半導體晶體就宣告從深紫外到紅外不同色彩的光線,光的強弱與電流有關。


  深紫外LED燈珠技術特征


  1)5mm的深紫外均選用玻璃封裝、鍍鎳的合金外殼,進一步跋涉了深紫外的發光功率、降低了深紫外的衰減,延長了運用壽數。


  2)2個引腳均選用鍍金技術。


  3)發光強度高。


  4)質量安穩、牢靠。


  深紫外LED燈珠光源波長


  1、紫色 :405nm - 純紫色  400nm - 深紫色


  2、近深紫外線光 395nm -帶微紅的深紫色  uv-a 型深紫外線光


  3、370nm -幾乎是不可見光,受木質玻璃濾光時顯現出一個暗深紫色。


  4、深紫外光(uv)滅菌燈 λρ=254nm 或 253.7nm


  點光源 λρ=365nm 臭氧構成 λρ=185nm 以下  --真空深紫外線(uv-v),波長為 100-200nm  --短波深紫外線(uv-c),波長為 200-280nm  --中波深紫外線(uv-b),波長為 280-315nm  --長波深紫外線(uv-a),波長為 315-380nm  ——可見光(visible light),波長為 400—760nm。


深紫外LED燈珠發光原理與打開前景介紹


  深紫外LED燈珠研制案例


  美國科學家成功制造出波長255nm、功率0.57w以及波長250nm、功率0.16w的深紫外發光二極管(led)。該組件現在沒有封裝,該研討小組希望藉由覆晶接合(flip-chip bonding)能將功率等級跋涉3到5倍。此波段的極深深紫外光(ultradeep ultraviolet, uduv)光源未來可能替代水銀燈泡,作為生物與化學傳感器的激起光源。


 南卡羅來納大學的asif khan等人生長出含鋁量高達72﹪的高品質algan層,并以它們做為發光二極管結構中的批覆層(cladding),用來制造uduv組件。研討人員選用藍寶石做為led基板,堆積的第一層是aln緩沖層,接著是十層的aln/algan超晶格(superlattice),接著是厚度1.4微米的al0.72ga0.28n批覆層。該小組標明,選用鋁含量72﹪的algan層是為了使資料在波長250nm時資料仍為透明,這一層是選擇組件功用的要害。作業區(active region)包括3個量子井(quantum wells),改動鋁含量可使發射波長在250至200nm之間做調整。研討人員在脈沖偏壓條件(pulsed biased conditions)下測試了波長為255nm的200平方微米的組件以及波長為250nm的150平方微米的組件,兩者的尖峰輸出功率對應的激起電流分別為200ma與300ma,射極(emitter)的外部量子功率(external quantum efficiencies)分別為0.015﹪及0.01﹪。


  深紫外LED燈珠運用范疇


  深紫外發光二極管廣泛運用于:金屬裂縫、裂紋的檢測,光觸媒光源,驗鈔點鈔設備,防偽作業,及醫療丈量和生物核算安全性檢測,液壓檢漏等等范疇。


  深紫外LED燈珠翻開遠景


  波長在220nm至350nm之間的高功率深深紫外線發光二極管在滅菌、清水、醫療、高密度光紀錄、高顯色性led照明以及高速分解處理公害物質等范疇有廣泛運用。迄今為止,深深紫外線光源以準分子激光和各種倍頻激光等氣體和固體為前語的深紫外激光和氣體燈為干流,可是存在體積大、壽數短、價格高的缺點,難以實踐運用。而運用半導體的高亮度深紫外led和深深紫外線ld,能夠結束小型化,得到廉價、高效和長壽數的深紫外光源,運用遠景更加寬廣。


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